እቲ ግብረመልሲ ስንተርንግ ሜላ ናይ SIC መጀመርያ ብዓወት ኣብ ሕቡራት መንግስታት ኣመሪካ ብዓወት ተጽኒዑ. መስርሕ ምላሽ ስንተር ከምዚ ዝስዕብ ይግበር: ቀዳማይ-መጀመርያ ዱቄት ዱቄት ግራፋይት ብመጠን ይሕወስ፣ እቲ ስሉጥ ቀጠልያ ኣካል ድማ ብደረቕ ምጽቃጥ ይግበር፣ ብነጥቢ ወይ ድማ ብፍቓድ ምስ ፈሳሲ SI ምስ ዝራኸብ፣ C ምስቲ ቀጠልያ ኣካል ምስ ዝፍጠሮ ምስ ፈሳሲ SI ምስ ተራኸበ፣ ስ. － SiC is combined, and excess Si is filled in the pores, thereby obtaining a non porous and dense reaction sintered body. Reaction sintered SiC usually contains 8% free Si. Therefore, in order to ensure complete Si infiltration, the blank should have sufficient porosity. Generally, by adjusting the initial mixture － The content of SiC and C, － The particle size distribution ናይ SIC፣ ቅርጽን ንጥረ ነገራትን ዓቐን C፣ ከምኡውን እቲ ናይ ሞልዲንግ ጸቕጢ ነቲ ዝግባእ ቀጠልያ ጽቕጥቕጥ ንምርካብ ክጥቀመሉ ይኽእል.
እቶም ፈተነታት ከም ዘመልክትዎ እቲ ጸቕጢ ዘይብሉ ስንተርንግ፣ ውዑይ ምጽቃጥ ምሕንባስ፣ ውዑይ isatostatic pressing sinteringን ምላሽን sintering ዝተፈላለየ ናይ ብቕዓት ባህርያት ከም ዘለዎም ይሕብሩ።hot press sinteringን hot isatostic pressing sic ceramicsን ብመንጽር sintering sintering sintering sintering sintering sintering sintering sintering sintering sintering sintering sintering sintering sintering sintering sintering sintering sintering sintering is different seminatic seramic SIC ሴራሚክስ ምስ ዝተፈላለየ sintering ተወሰኽቲ እውን ዝተፈላለየ እዩ. ጸቕጢ ዘይብሉ sintering, ውዑይ ምጽቃጥን ምላሽ sintering sic ሴራሚክስ ንሓያል ኣሲዳትን ኣልካላይን ጽቡቕ ተጻዋርነት ኣለዎ, ግን ግብረመልሲ sin sic ሴራሚክስ ድኹም ተጻዋርነት ኣለዎ ንኣልትራ ሓያላት ኣሲዳት ከም hf{3}} ከም hf. ትሑት 900 ዲግሪ ክውስኽ ከሎ , the brentwys; እቲ ሙቐት ካብ 1400 ዲግሪ ንላዕሊ ምስ ዝኸውን ፣ እቲ ናይ ምጥዋይ ሓይሊ ናይ ምላሽ sintered sic ሴራሚክስ ብሓያል ይንኪ. (እዚ ዝኾነሉ ምኽንያት እቲ sintered ኣካል ዝተወሰነ መጠን ነጻ SI ስለ ዝሓዘ እዩ፣ እቲ ናይ ምጥዋይ ሓይሊ ድማ ብርቱዕ ሙቐት ስለ ዝንኪ፣ ካብ ዝተወሰነ ሙቐት. ምስ ሓለፈ. ን SIC ሴራሚክስ ክሓልፍ ከሎ ብጸቕጢ ዘይብሉ sintering sintering istume pressiting that the highly-time impressing istume pressating ተወሰኽቲ ነገራት .
